财联社2月11日电，三星电子首席技术官表示，该公司预计，市场对内存芯片的强劲需求不仅将持续今年全年，而且还将持续到明年，因为人工智能推动了强劲的需求。他还重点强调，三星公司的HBM4芯片显示出“良好的”制造良率，客户对其性能表示非常满意。据报道，三星计划在本月晚些时候开始HBM4的大规模生产并将其交付给主要客户。其HBM4芯片使用其1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术）制造DRAM单元芯片，同时使用4纳米工艺制造基板芯片。基于这些技术，三星的HBM4芯片实现了高达每秒11.7Gbps的数据处理速度，超过了联合电子器件工程委员会规定的8Gbps标准。