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07:24:47【三星据悉将扩大用于HBM4的DRAM产能】
财联社2月6日电,据报道,三星电子计划今年将基于10纳米工艺的第六代(1c)DRAM(用于HBM4)产量提升约170%。三星制定战略,将在韩国京畿道平泽第四工厂安装设备,计划明年第一季度实现月产10万至12万片DRAM晶圆;该生产线将全面配备制造HBM4用1c DRAM的设备。三星当前1c DRAM月产能为7万片晶圆。
半导体芯片 HBM
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2026-02-06 07:24:47 723300 阅读
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