财联社
财经通讯社
打开APP
【电报解读】存储芯片+光芯片,四季度净利环比预增超6倍,DDR5产品已通过Intel、AMD兼容性测试,这家公司参股企业25G VCSEL光芯片目前处于研发测试阶段
存储芯片+光芯片,四季度大幅扭亏,单季净利环比预增超6倍,DDR5产品已通过Intel、AMD兼容性测试,参股企业25G VCSEL光芯片目前处于研发测试阶段,这家公司产品在AI终端、工业控制、车规应用等高可靠性场景中加速渗透。

1月20日22:55《电报解读》子栏目【寻找年报预期差】获悉“通富微电”业绩表现,随即展开梳理:公司2025年净利润预告19.5亿-21亿,超机构19.19亿平均预期;具体来看,受益于半导体行业结构性增长,公司产能利用率提升,中高端产品营收增加,成本管控增效,产业投资增厚业绩;此外,AMD与OpenAI合作推动GPU部署,公司作为其核心封测厂商,受益AI及存储需求增长,存储封测国内领先,CPO技术突破,市场份额提升。1月21日,通富微电强势涨停。

财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
商务合作
相关阅读
热门解锁
立即订阅