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20:04:32【LG电子开发HBM混合键合堆叠设备早期版本】
《科创板日报》13日讯,LG电子正在开发用于高带宽存储器(HBM)的混合键合堆叠设备(键合机)早期版本。该项目计划于2029年完成,目标精度设定为200纳米。不过,这一精度规格与Besi公司已实现商业化的100纳米精度存在差距。消息人士指出,基于这样的精度差异,该键合机在三年后推出时,可能在HBM领域竞争力不足。 (TheElec)
存储器 HBM
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2026-01-13 20:04:32 717713 阅读
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