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广州:大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造
财联社1月8日电,广州印发广州市加快建设先进制造业强市规划(2024—2035年),大力发展碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料制造,支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造,加快光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产,培育壮大化合物半导体IDM(集成器件制造)、宽禁带半导体材料、电子级多晶硅及硅片企业。支持开展射频、传感器、纳米级陶瓷粉体、电力电子等器件研发转化,推动化合物半导体产品的推广应用。
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