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08:42:53【三星公布实现10纳米以下DRAM新方法】
在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上,三星推出了一款“高热稳定性非晶氧化物半导体晶体管”,可以集成到单片CoP DRAM架构中,或应用于10纳米以下的0a和0b DRAM。 (TheElec)
半导体芯片 存储芯片
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2025-12-17 08:42:53 2109252 阅读
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