三星公布实现10纳米以下DRAM新方法

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08:42 三星公布实现10纳米以下DRAM新方法

在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，三星推出了一款“高热稳定性非晶氧化物半导体晶体管”，可以集成到单片CoP DRAM架构中，或应用于10纳米以下的0a和0b DRAM。 (TheElec)

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