《科创板日报》2日讯，三星电子考虑将支撑其HBM3E内存供应的1a nm DRAM产能削减30~40%，通过制程转换提升适用于通用内存产品的1b nm产能，以实现利润的最大化。

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15:44 《科创板日报》2日讯，三星电子考虑将支撑其HBM3E内存供应的1a nm DRAM产能削减30~40%，通过制程转换提升适用于通用内存产品的1b nm产能，以实现利润的最大化。 (DealSite)

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