欧盟发布可持续交通投资计划，加速空水运输绿色转型

欧盟委员会11月5日通过“可持续交通投资计划”，为航空和水路运输制定能源转型路线图。该计划旨在推动对可再生能源和低碳燃料的投资，预计到2035年需2000万吨可持续替代燃料，撬动约1000亿欧元投资。欧盟将通过短期倡议在2027年前调动至少29亿欧元，并于年底前启动合成航空燃料试点项目；中长期将建立连接产销的中介机制，稳定收益、降低风险，并简化行政流程。此举是欧盟提升竞争力，降低化石能源依赖，并在2050年前实现气候中和的关键举措。

美国能源部征集提案，推动AI数据中心建设

美国能源部环境管理办公室正式对外征集提案，邀请有能力的企业在其位于肯塔基州帕杜卡的基地建设并运营AI数据中心。帕杜卡厂址是联邦政府指定的四个潜在AI和能源生产项目地点之一。申请方需负责数据中心的全生命周期管理，包括设计、建造、运营及退役。项目评估将根据技术成熟度、财务可行性和合规性。能源部还将举办行业日活动，供潜在申请者深入了解要求并实地考察。

麦肯锡发布报告指出AI应用仍主要处于试点阶段

麦肯锡11月5日发布《2025年人工智能的发展现状：智能体、创新与转型》报告指出，目前多数企业的AI应用仍停留在试验或试点阶段，近三分之二尚未展开全面推广。报告显示，62%的受访者已开始尝试AI代理。尽管64%的受访者确认AI在业务场景中带来了成本与收入收益，但仅39%观察到其对企业整体利润的实质影响。高绩效企业不仅将AI用于效率提升，更致力于推动增长与创新，且半数高绩效企业正着手重构工作流程以释放AI价值。随着挑战的逐步显现，降低AI风险的努力也变得越来越普遍。

日本拟每年投入65亿美元用于芯片和AI领域

日本执政党计划改变过往依赖追加预算的模式，转为通过年度常规预算每年稳定筹集约1万亿日元（约65亿美元），以持续支持本国半导体与AI产业发展。据透露，此举旨在保障资金获取的稳定性与可预期性。自2021年推出芯片产业振兴战略以来，日本已累计投入约5.7万亿日元，其中大部分资金此前均来源于额外预算。这一转型标志着日本对战略性产业的扶持正走向制度化和长期化。

美国研究团队研制出高性能“长寿命”超导量子比特

普林斯顿大学团队研制出新型超导量子比特，其相干寿命突破1毫秒，达到实验室最佳纪录的三倍，也是行业标准处理器的近15倍，该设计可集成于现有处理器。研究通过双管齐下的创新实现突破：采用金属钽保存能量，并以高质量硅替代蓝宝石衬底。基于此构建的量子芯片，单量子比特门保真度高达99.994%。此项成果扫清了量子计算走向工业系统可扩展性与高效纠错的关键障碍之一，若替换至谷歌顶级处理器，预计性能可提升千倍。

美国企业发布新型离子阱芯片，量子比特数量与性能双突破

离子阱量子计算公司Quantinuum发布新型离子阱芯片“Helios”，将量子比特数从56个提升至96个，且保真度未降。其核心创新在于采用单交叉设计连接存储环与操作支路，通过精准调度离子流动，高效执行双量子比特门等操作。同时，新版软件开发工具包引入了循环与条件语句，为量子比特纠错奠定了基础。此次升级是通向未来大规模、网格化离子阱量子处理器的重要一步。

MIT开发可解释和预测基因剪接调控的新方法

麻省理工学院团队开发了一种KATMAP模型，旨在解析剪接因子的调控活性。该模型利用剪接因子表达的实验数据及其相互作用的序列信息，能够预测剪接因子的靶标。该研究使科学家得以解释并预测不同细胞类型甚至物种间的剪接调控，使细胞能利用相同基因蓝图产生丰富的功能多样性。该研究成果对开发针对相关疾病的治疗方法至关重要，未来或可用于评估合成核酸对剪接过程的影响。

德国研究团队开发聚焦阿秒脉冲的等离子体透镜

德国马克斯·玻恩研究所（MBI）和德国电子加速器（DESY）团队联合研发出世界首个能够高效聚焦阿秒脉冲的等离子体透镜，这一突破将有力推动超快物理学的发展。该透镜通过向氢气毛细管施加强电脉冲，电离形成具有理想凹面形状的等离子体，能以高达80%的效率将阿秒闪光聚焦。此项技术将极大提升探测原子和材料中快速电子运动的能力，有望开启从绘制电子运动图到推进量子技术与超快显微镜在内的阿秒科学新时代。

阿拉伯科学家研发新型核废料制氢技术

沙迦大学科学家研究发现，利用核废料辐射可高效分解水制氢，为核废料资源化与清洁能源生产开辟了新路径。辐射增强电解技术可将氢气产量提升高达十倍，是最具前景的方法。研究还识别了多种经济可行的辅助技术，包括利用铀化合物加速水分解的铀基催化、减少积碳的甲烷重整，以及提高制氢效率的液相等离子体光催化。这些技术共同构成了一条将危险核废料转化为清洁氢能的高效途径。

美国研究团队揭示扩展缺陷可释放纳米材料的新特性

明尼苏达大学双城分校团队开发出一种可在超薄材料中有序制造并调控被称为“扩展缺陷”的微观结构的方法。这类缺陷能显著改变材料性能，有望推动下一代纳米技术发展。研究人员通过在基底表面预先制作微小图案，再于其上生长薄膜，成功引导材料内部形成高密度缺陷。实验显示，图案化区域的缺陷密度可比无图案区域高出1000倍。该方法虽以钙钛矿氧化物为主要研究对象，但具备普适性，未来或应用于电子设备中，利用缺陷实现全新功能。