近日,在2025年中国信息通信大会暨中国通信学会学术年会“算网筑基,万智互联——面向6G的算力网络创新技术论坛”上,中国移动正式发布《中国移动6G传输技术白皮书》与“中国移动6G传输系统原型样机1.0”。
机构指出,打破内存墙瓶颈,HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力。HBM解决带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制等问题,已成为当下AI芯片的主流选择。Yole预计全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元,CAGR达33%。
SK海力士指出,HBM的引入不仅能显著提升AI的性能和质量,其增长速度甚至超越了传统内存性能,有效打破了内存墙瓶颈。民生证券认为,从产业链来看,HBM产业上游主要包括电镀液、前驱体、IC载板等半导体原材料及TSV设备、检测设备等半导体设备供应商;中游为HBM生产,下游应用领域包括人工智能、数据中心以及高性能计算等。在HBM制造中,TSV工序是主要难点,其涉及光刻、涂胶、刻蚀等复杂工艺,是价值量最高的环节。国产HBM量产势在必行,当前国产HBM或处于发展早期,上游设备材料或迎来扩产机遇。
据财联社主题库显示,相关上市公司中:
赛腾股份表示,公司HBM检测设备已得到海外大客户的认可并已批量出货,国内市场正在积极开拓中。
中微公司在先进封装领域(包含高宽带存储器HBM工艺)全面布局,包含刻蚀、CVD、PVD、晶圆量检测设备等,且已经发布CCP刻蚀及TSV深硅通孔设备。