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08:15:24【SK keyfoundry推出新型多层厚金属间电介质工艺】
财联社9月23日电,韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry今日宣布推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质(Thick IMD)电容工艺。新型多层厚金属间电介质工艺支持堆叠最多三层IMD,每层最大厚度达6微米。该工艺预计将用于制造数字隔离用电容器,以及电子电路中抑制电容耦合的电容器。
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财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2025-09-23 08:15:24 2711513 阅读
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