财联社
财经通讯社
打开APP
16:03:58【三星拟扩大1c DRAM产能】
《科创板日报》12日讯,三星电子计划在明年上半年完成其平泽四号园区(P4)1c DRAM的设备投资,力争在HBM4领域取得先机。公司另准备在其华城17号线进行1c DRAM的转换投资。报告指出,三星今年的1c DRAM产能可能上升至每月6万片晶圆左右。 (ZDNet)
HBM 半导体芯片 存储芯片
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2025-09-12 16:03:58 1356347 阅读
商务合作
热门解锁
相关阅读
评论
热度
最新
发送