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10:54 我国存力规模达1680EB 国产存储介质、芯片、系统实现三级突破
《科创板日报》26日讯,在2025中国算力大会上,《2025存力发展报告》正式发布。报告显示,截至今年6月底,我国存力规模达1680EB。存力建设迈向协同升级新阶段,呈现出区域梯次布局、单机架密度提升、闪存渗透率提高的三大特征。报告显示,截至今年3月底,在区域存力规模方面,东部占比55%,中部增长39%,西部增长63%。在先进存力应用方面,全国外置闪存占比超过28%,金融、制造、互联网三个行业渗透率超45%。

产业链自主可控能力持续增强,国产存储介质、芯片、系统实现三级突破。上游方面,长江存储QLC芯片单晶粒容量达2Tb;中国科学院上海光机所光存储实现单盘Pb级、寿命可达40年。中游方面,华为、曙光、浪潮等企业完成从SSD控制器、分布式存储系统到整机的垂直整合,国产存储产品连续多年在全球评估体系中蝉联榜首。下游方面,金融、医疗、能源三大行业的国产化存储应用方案已覆盖核心应用场景,并形成可复制推广的标准体系。(记者 黄心怡)
TMT行业观察 半导体芯片
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