打开APP
×
13:47 消息称三星12层HBM4量产推迟至2026年
《科创板日报》24日讯，三星电子基于10纳米级第六代1c DRAM所生产的12层第HBM4，原本计划于2025年下半年量产。最新消息指出，三星决定将量产时间推迟至2026年，并预计在2025年第3季度内，将制造出的HBM4样品交付主要客户。 (Deal Site)
HBM 半导体芯片
阅读 56113
特别声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议。投资者据此操作风险自担。
相关新闻
相关企业家
联系Ta
联系企业家
为保护双方个人信息请联系您的专属助理进行接洽
我再想想
点击复制
复制成功，请去微信添加