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三星1c DRAM样品生产测试推迟3个月 HBM4量产或同步延后
《科创板日报》18日讯,韩媒援引三星内部消息人士称,三星原定2025年7月进行1c DRAM样品生产测试,因在重新设计过程中遭遇困难,时间表已推迟至2025年10月。三星基于1c DRAM的HBM4原计划在2025年下半年开始量产,可能也会同步延后。
HBM
半导体芯片
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