打开APP
×
10:38 三星1c DRAM样品生产测试推迟3个月 HBM4量产或同步延后
《科创板日报》18日讯，韩媒援引三星内部消息人士称，三星原定2025年7月进行1c DRAM样品生产测试，因在重新设计过程中遭遇困难，时间表已推迟至2025年10月。三星基于1c DRAM的HBM4原计划在2025年下半年开始量产，可能也会同步延后。
HBM 半导体芯片
阅读 74940
特别声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议。投资者据此操作风险自担。
相关企业家
联系Ta
联系企业家
为保护双方个人信息请联系您的专属助理进行接洽
我再想想
点击复制
复制成功，请去微信添加