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消息称SK海力士1c nm DRAM内存良率约为80% 触及量产及格线
《科创板日报》8日讯，SK海力士的1c nmDRAM内存工艺近期良率约为80%，较去年下半年的六成有明显提升。一般而言DRAM内存工艺在良率达到80%~90%时就可进入正式量产，SK 海力士的1c nm制程即将达到大规模生产所需的水平。 (hankooki)
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