财联社
财经通讯社
打开APP
【电报解读】第四代半导体取得突破,已成为国际科技战略必争高地,该种材料有望替代碳化硅和氮化镓成为新一代半导体材料的代表,快速整理相关上市公司(附表)
【杭州镓仁发布首颗8英寸氧化镓单晶】《科创板日报》5日讯,3月5日,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。镓仁半导体采用完全自主创新的铸造法成功实现8英寸氧化镓单晶生长,并可加工出相应尺寸的晶圆衬底。这一成果,标志着镓仁半导体成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业。
第四代半导体取得突破,已成为国际科技战略必争高地,该种材料有望替代碳化硅和氮化镓成为新一代半导体材料的代表,快速整理相关上市公司(附表),这家公司正在此领域开展技术研究和布局。
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
商务合作
相关阅读
专栏
立即订阅