《科创板日报》2月28日讯（编辑 宋子乔） 存储行业隐隐有涨价趋势，多家券商给出积极预测。

中信证券研报指出，随原厂控产影响显现，行业库存逐步消化，AI拉动需求提升，预计主流NAND Flash价格有望于25Q2开涨，DRAM价格有望于25H2企稳向好，存储模组涨价早于晶圆端，国内模组厂商主要布局NAND产品，25Q2有望迎利润拐点，低价存货有望带来利润弹性，估值有望率先提升，建议关注模组环节投资机会。

天风证券表示，智能手机与PC行业对NAND存储的需求持续升温，新硬件产品的发布预示着消费者换机热潮的到来。随着销售渠道库存逐渐消化至合理水平，存储板块预期二季度开启涨价，模拟板块中汽车工控领域拐点或现。

近期业界也传来不少价格待涨的声音。华邦电总经理陈沛铭表示，网通市场需求低迷多年，预期2025年下半年市场状况有望改善，并带动DRAM供过于求情况好转，下半年产品价格有机会上扬。至于快闪存储器方面，编码型快闪存储器（NOR Flash）2025年上半年估计约产销平衡，下半年将有较显著成长。单层式储存型快闪存储器（SLC NAND Flash）因有供应商退出，预期下半年供应可能吃紧。服务器市场需求健康，若AI服务器渗透率提升，将有助产品需求增加。

存储受益AI端侧需求驱动+原厂减产

存力即数据存储能力。海量的数据需要安全、可靠的存储空间，而存力就是提供这一空间的关键。随着数据量的大规模增长，存储设备在数据中心采购的BOM中占比持续提升，目前存储芯片在数据中心采购中比例约为40%，未来预计将提升至50%。

一方面，AI时代爆发性的算力增长对存力提出了新要求，AI端侧应用的普及推动云端及端侧存储需求增长。随着AI算力需求的不断提升，冯•诺依曼架构的存算性能失配问题日益显现，存算一体化技术应运而生。近存计算通过2.5D和3D堆叠技术有效融合计算与存储，提升内存带宽并降低访问延迟，成为提升芯片性能的主流方案。HBM和CUBE方案作为代表，能够广泛应用于高性能计算和边缘设备中，随着AI终端的普及和算力需求的加速，近存计算有望成为未来技术发展的关键趋势。

另一方面，供应端主动优化产能结构，有望开启新一轮存储涨价周期。上一轮存储涨价的驱动力便来自2023Q2原厂的减产。2025年以来各大存储厂商均发布减产计划，美光预计减产10%，三星预计减产15%，海力士预计上半年减产10%，铠侠自2024年12月开始减产。

开源证券日前发布研究报告称，阿里巴巴FY2025Q3单季资本开支达317亿元，环比提升80%+，创历史新高。该行认为在以阿里为首的国内云厂商资本开支增加的推动下，AI应用落地有望加速，AI商业模型有望闭环。存力作为贯通上游算力设施和下游终端设备的重要部分，有望成为AI浪潮下半场的关键之一。该机构关注三条主线：

（1）存储模组厂商：德明利、江波龙、佰维存储、香农芯创；

（2）先进存储厂商：兆易创新、恒烁股份等；

（3）边缘侧Nand/Nor flash厂商：兆易创新、普冉股份、东芯股份、恒烁股份、聚辰股份等。

海通证券也认为，2025年，伴随AI应用端渗透进一步提升，存储单机搭载量将持续成长，存储减产+需求改善下存储价格有望实现回暖。