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10:58 富加镓业4英寸VB法氧化镓衬底性能达到国际先进水平
财联社2月20日电,据杭州光学精密机械研究所消息,杭州光机所孵育企业杭州富加镓业在垂直布里奇曼(VB)法氧化镓晶体生长领域取得重大突破,经测试单晶质量达到国际先进水平,现同步向市场推出晶体生长设备及工艺包。测试结果表明,使用富加镓业设备生长出的4英寸VB晶体内无孪晶,单晶衬底XRD半高全宽(FWHM)优于50arcsec,与导模法制备的氧化镓单晶衬底质量相当,性能达到国际先进水平;衬底表面粗糙度(Ra)小于0.2nm,弯曲度(Bow)达到1.8μm,翘曲度(warp)达到9.3μm,总厚度偏差(TTV)<10.0μm,相关加工指标达到4英寸碳化硅衬底产品要求。VB法装备的成功研制,标志着公司在技术创新上取得了重大突破,是公司于2024年5月在国际上率先突破导模法“一键长晶”技术后又一里程碑事件。资料显示,富加镓业为衢州发展(600208)参股的高科技投资企业。
第三代半导体
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