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15:00 三星、SK海力士减少NAND产量以应对供应过剩问题
《科创板日报》11日讯,三星电子和SK海力士已开始减少NAND闪存产量。据业内人士透露,为了应对供应过剩的问题,三星电子和SK海力士从去年年底开始将旧的NAND闪存工艺生产线转换为新工艺。目前,三星电子正在用176层、238层、286层等最新产品取代目前占产量大部分的128层产品。SK海力士正在进行技术迁移,以在其NAND生产基地量产最新的238层和321层产品。 (ETnews)
半导体芯片 存储芯片
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