三星电子改进半导体存储器设计

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08:02 三星电子改进半导体存储器设计

《科创板日报》24日讯，据韩国半导体业界近日透露，三星电子正在改进12纳米级动态随机存取存储器（DRAM）“D1b”的设计。三星电子于2023年首次量产“D1b”，应用于显卡DRAM和手机DRAM上。此次改变已生产一年多的DRAM设计是半导体行业中罕见的案例。

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