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消息称三星电子已启动4nm制程HBM4逻辑芯片试生产
《科创板日报》3日讯,三星电子DS部门内存业务部最近完成了HBM4内存逻辑芯片设计,Foundry业务部现已根据该设计采用4nm制程启动试生产。待完成逻辑芯片的最终性能验证后,三星电子将向客户提供其开发的HBM4内存样品。 (Chosun Biz)
半导体芯片
HBM
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