消息称三星电子准备采用常规结构的1e nm DRAM内存

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16:45 消息称三星电子准备采用常规结构的1e nm DRAM内存

《科创板日报》30日讯，三星电子准备启动采用常规结构的1e nm制程DRAM，实现先进内存开发多轨化，为未来可能的商业化提供更丰富技术储备。据悉，1e nm DRAM有望于2028年推出。 (The Bell)

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