《科创板日报》11月14日讯（记者 吴旭光） 11月13日，中共中央政治局常委、国务院总理李强在河北调研。

在雄安新区，李强来到中国卫星网络集团，听取企业建设运营、卫星互联网产业发展等介绍，察看星网系统运行及应用情况；

在保定，李强来到同光半导体股份有限公司，听取企业科技创新进展汇报，走进晶体生长车间了解工艺流程，详细询问相关技术指标。

李强强调，要坚持创新驱动发展，加快全面绿色转型，高标准高质量建设雄安新区，在推进京津冀协同发展中展现新作为。同时，他勉励企业把握前沿趋势，加大研发投入，努力攻克关键核心技术难题，不断提升竞争优势。

《科创板日报》记者注意到，上述两家企业既是河北省先进制造业领域颇具代表性的企业，也是各自行业内的佼佼者。

中国星网：卫星互联网设计建设运营骨干企业

中国卫星网络集团有限公司（下称“中国星网”）成立于2021年4月，是中央批准成立的唯一一家从事卫星互联网设计建设运营的国有重要骨干企业，是首家注册落户雄安新区的中央企业。

据悉，中国星网专注于构建卫星互联网，特别是低地球轨道(LEO)卫星网络，旨在提供全球范围内的宽带互联网服务。

一位从事卫星互联网安全领域的业内人士在接受《科创板日报》记者采访时表示，这种服务特别适用于偏远地区、海上、空中以及其他地面基础设施难以触及的地方，满足了特定市场的需求。

《科创板日报》记者注意到，目前中国星网已在积极布局相关业务，并取得了一系列显著成果。

其中，今年2月，星网技术试验卫星的成功发射，标志着中国星网已进入正式建设阶段。

中国军转民产业研究院常务副院长蒋鹏飞对《科创板日报》记者表示，从建设进展来看，现阶段，中国星网已发射了第一批卫星，主要提供给政府使用，旨在建立起全球跨区域通信应用；接下来，第二批卫星将供应给民用领域使用。

根据计划，中国星网将打造一个由1.3万颗卫星组成的网络，计划5年内发射其中约10%的卫星，将为2035年前部署6G移动通信网络提供帮助。

展望未来，卫星互联网面临巨大的市场需求。

“随着6G时代的来临，卫星互联网不仅将成为通信手段，更将与人工智能、算力及空天地一体化感智技术融合，构建出一个多功能的空天地立体网络通信系统。”蒋鹏飞表示。

对于未来发展，蒋鹏飞建议，相关企业要持续加强技术创新。“尤其是积极探索智能卫星技术，提高卫星的运维控制和自我修复能力，从而提升系统的运行效率和可靠性，通过技术创新，不断提高卫星互联网的服务质量等。”

此外，“在国家政策的支持和技术创新的推动下，中国卫星互联网产业正迎来快速发展的黄金时期，需要继续加强技术创新，完善产业链，拓展市场应用，推动卫星互联网实现高质量发展。”蒋鹏飞补充说道。

同光股份：第三代半导体材料碳化硅衬底制造代表

成立于2012年的河北同光半导体股份有限公司（下称“同光股份”），是第三代半导体材料碳化硅衬底制造企业，致力于SiC单晶衬底的研发、生产及销售，是国内率先量产SiC单晶衬底的制造商之一。

目前，同光股份的产品已涵盖4英寸、6英寸、8英寸高纯半绝缘型和导电型碳化硅单晶衬底，并成功应用到5G通信和电动汽车领域中。“近三年，公司总产值实现50%以上高速增长。”今年2月，同光股份方面表示。

作为半导体领域备受关注的“明星”材料，其中，8英寸碳化硅衬底是当前国内外厂家争相抢占的黄金赛道。

随着第三代半导体碳化硅从6英寸晶圆向8英寸晶圆过渡，国际大厂纷纷迈入8英寸的同时，国内厂商亦开启对8英寸碳化硅衬底的加速“破局”之战。

据市场三方数据统计，国内有十余家企业与机构正在研发8英寸碳化硅衬底，包含同光股份、烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、天科合达、科友半导体、乾晶半导体、中科院物理所、山东大学等。

一位碳化硅衬底从业人士对《科创板日报》记者表示，8英寸碳化硅衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面拥有较大的市场潜力，正成为行业重要的技术演化方向。

Wolfspeed预计至2024年，8英寸碳化硅衬底带来的单位芯片成本相较于2022年6英寸衬底的单位芯片成本降低超过60%。

尽管8英寸碳化硅衬底正快速发展，但已实现大规模量产的企业目前仅有Wolfspeed，以及同光股份、天岳先进等国内少数厂家。

一位接近同光股份的市场人士今日（11月14日）对《科创板日报》记者表示，去年下半年，该公司（即：同光股份）8英寸SiC衬底已进入送样、小批量生产阶段。今年其已实现批量化生产阶段，并获得海外大厂的订单，供货给罗姆半导体集团等。

在产能方面，“同光股份碳化硅衬底产线是6英寸、8英寸产品兼容，该公司产能可根据市场情况、客户需求和订单情况进行动态调整，满产可达40万片/年-50万片/年之间。”前述同光股份相关人士表示。

在供应方面，最近几年，中国SiC晶圆衬底/外延市场增长强劲，且大批量扩张的产能即将陆续达产。

其中，今年11月12日，天科合达“第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目”开工仪式在北京举行。投产后将实现年产约37.1万片导电型碳化硅衬底，其中，8英寸导电型碳化硅衬底13.5万片。

“当前国内在8英寸SiC晶圆量产面临较多难点，比如衬底制备中8英寸籽晶的研制、大尺寸带来的温场不均匀等。”上述业内从业人士表示。

需要注意的是，在市场需求方面，近年来全球新能源汽车增速开始放缓，尤其是欧美新能源汽车需求下降得较为明显。供需的变化让投资者担忧，未来市场存在产能过剩的危机。

“以8英寸碳化硅衬底为例，今年国内相关产品的市场需求相较于前两年动辄几十万片的出货量，放缓明显。”该业内从业人士补充。