财联社11月4日讯（编辑 黄君芝）SK海力士董事长崔泰源（Chey Tae-won）周一表示，英伟达CEO黄仁勋已要求他将该公司下一代高带宽内存芯片HBM4的供货时间提前六个月。

他在首尔举行的集团AI峰会上表示，SK海力士正在与英伟达合作解决供应瓶颈问题。SK海力士去年10月曾表示，计划在2025年下半年向客户供应这种芯片。

崔泰源表示，这一时间表比最初的目标要快，但没有进一步说明。

有分析指出，黄仁勋要求加快交付速度，凸显了市场对英伟达用于开发人工智能技术的更高容量、更节能GPU的强劲需求，而这些GPU将包含新的HBM芯片。

目前，英伟达占据了全球人工智能芯片市场80%以上的份额。

此外，SK海力士在周一还透露下代产品的最新进展，该公司将于2025年初推出16层HBM3E芯片，12层HBM3E芯片已于9月开始量产。同时它计划在2028年至2030年间推出HBM5芯片。

到目前为止，SK海力士一直是高带宽内存（HBM）领域的“领头羊”。HBM芯片有助于处理大量数据，以训练人工智能技术，对英伟达的芯片组至关重要。市场需求十分火爆。不过与此同时，来自三星电子和美光科技等对手的竞争越来越激烈。

HBM是一款新型的CPU/GPU 内存芯片，简而言之就是将很多个DDR芯片堆叠在一起后和GPU封装在一起，实现大容量、高位宽的DDR组合阵列。HBM能够实现大模型时代的高算力、大存储的现实需求。因此，HBM正逐渐成为存储行业巨头实现业绩反转的关键力量。

而且，值得注意的是，HBM产能已成为人工智能芯片供应的一个瓶颈，例如SK海力士的产能到2025年已基本“售罄”，而三星HBM产品仍在寻求获得英伟达测试通过。

不过，在前些天的财报电话会议上，三星内存业务执行副总裁Jaejune Kim表示，在与一家主要客户——英伟达资格认证过程的关键阶段，三星取得了“重要”进展。

Kim提到，三星现在预计公司将在第四季度出售其最先进的HBM3E内存芯片。他说，“英伟达作为HBM厂商的最大客户，三大存储芯片厂商都在尽全力争取其订单，而现在最先进的HBM产品就是HBM3E。”

三星电子还计划在明年下半年生产下一代HBM4产品。