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三星计划年底前建成首条1c DRAM产线
《科创板日报》22日讯,三星电子计划在今年年底前建成第一条1c DRAM(第六代10纳米级DRAM)量产线,三星电子决定使用1c DRAM作为第六代HBM和HBM4的核心芯片,并计划于明年底发布。 (ZDNet)
半导体芯片
HBM
存储芯片
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