三星计划年底前建成首条1c DRAM产线

打开APP

10:54 三星计划年底前建成首条1c DRAM产线

《科创板日报》22日讯，三星电子计划在今年年底前建成第一条1c DRAM（第六代10纳米级DRAM）量产线，三星电子决定使用1c DRAM作为第六代HBM和HBM4的核心芯片，并计划于明年底发布。 (ZDNet)

阅读 65733

特别声明：文章内容仅供参考，不构成投资建议。投资者据此操作风险自担。