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技术突破!SK海力士首发第六代10纳米DRAM芯片
财联社 周子意
2024-08-29 星期四
原创
①韩国存储芯片制造商SK海力士周四(8月29日)称,已开发出第六代10纳米级DRAM芯片;
②该芯片采用了1c工艺,是以1β工艺(第五代10纳米技术)为基础而开发的;
③新研发的DRAM将主要用于高性能数据中心,运行速度提高了11%,且功耗更低。
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财联社8月29日讯(编辑 周子意)全球第二大存储芯片制造商SK海力士周四(8月29日)表示,已开发出业界首款第六代10纳米级动态随机存取存储器(DRAM)芯片,该芯片的功耗比旧型号更低、能效则更高。

SK海力士在一份声明中表示,这款DRAM芯片名为1c 16Gb DDR5,其中的1c代表了SK海力士的第六代10纳米工艺。

据介绍,此次1c 16Gb DDR5芯片将主要用于高性能数据中心,其运行速度为8Gbps(每秒8千兆比特),与前一代相比速度提高了11%;此外该芯片还比前一代的能效提高了9%以上。

该公司还表示,在当前人工智能蓬勃发展的时期,这可以帮助数据中心减少多达30%的电力成本。

此次的1c工艺是以1β工艺为基础,1β工艺就是上一代DRAM芯片采用的第五代10纳米技术,其以最佳性能的DRAM而广受赞誉的。为了减少在推进过程中产生的潜在错误,并以最有效的方式转移1β的优势,该公司扩展了1β的DRAM平台以开发1c。

公司声明中写道,“公司以第五代(1β)技术力为基础,提高了设计完成度,率先突破了技术极限。公司将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备,从明年开始供应产品,引领半导体存储器市场发展。”

DRAM开发部门负责人Kim Jonghwan表示,“1c工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力,公司将其应用于新一代HBM1、LPDDR62、GDDR73等最先进DRAM主力产品群,由此为客户提供差别化的价值。”

特别声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作风险自担。
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