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SK 海力士计划2026年首次导入ASML High NA EUV光刻机
《科创板日报》19日讯,SK海力士EUV材料技术人员表示,该企业计划于2026年首次导入ASML的High NA EUV光刻机。SK海力士新近成立了一个High NA EUV研发团队,正致力于将High NA EUV光刻技术应用到最先进DRAM内存的生产上。 (ZDNet Korea)
光刻机
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