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三星电子正“卷土重来”:HBM3E据称最快两个月内获得英伟达认证
财联社 周子意
2024-07-30 星期二
原创
①在制造AI存储芯片的道路上,三星电子正努力追赶,逐渐缩小与竞争对手SK海力士的差距;
②三星的高带宽存储HBM3据称已获得英伟达批准,预计下一代产品HBM3E也将在两到四个月内通过认证;
③有分析指出,2025年三星的HBM市场份额至少会达到10个%。
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财联社7月30日讯(编辑 周子意)在开发对人工智能(AI)市场至关重要的存储芯片的路途上,遭遇过一系列挫折的三星电子,有望逐渐缩小与竞争对手SK海力士的差距。而SK海力士作为英伟达HBM3“御用”供应商的地位也可能受到冲击。

上周,有市场消息称,三星电子第四代高带宽存储芯片HBM3已获得英伟达批准在其处理器中使用。

据知情人士最新对媒体透露,三星取得的重要进展不仅限于HBM3获得放行,而且下一代产品HBM3E预计将在两到四个月内通过认证。

如今这样的追赶策略对于三星电子这家韩国最大的公司而言,是不同寻常的。此前三星在开发上的失误导致其竞争对手SK海力士一跃成为该领域的领跑者。

Tirias Research分析师Jim McGregor指出,“我们从未见过三星处于这个位置,存储行业和英伟达都需要三星全力以赴。”

东山再起

过去一段时间内,三星不仅在存储芯片技术上落后,而且在创新的紧迫性方面也是滞后不前。

为了追赶上人工智能芯片市场上蓬勃发展的势头,三星重组了HBM团队,并任命了一位新的负责人全永铉(Jun Young-hyun)来带领其半导体部门。

在全永铉的领导下,三星公司修改了HBM的设计,以解决发热和电力消耗问题,这使得其HBM3获得了英伟达的批准。

根据此前季度报告的详细信息,三星自去年下半年以来一直在生产HBM3芯片。目前,三星已开始向英伟达供应HBM3,并用于英伟达的H20芯片。

至于HBM3E,该技术今年首次进入市场,目前英伟达在自己的H200芯片中使用的是SK海力士的HBM3E芯片。

Sanford C. Bernstein分析师Mark Li等人在7月份的一份报告中写道,“虽然三星迟到了,但HBM3E的窗口仍将为三星敞开。英伟达将在2025年之前继续在其几乎所有产品中使用HBM3E,而其他的竞争对手预计到2026年也将会使用它。”

根据摩根士丹利的数据,HBM市场去年规模在40亿美元,预计到2027年将上升到710亿美元。因此,只要三星能够尽快得到英伟达的认证通过,那么该公司就能从这一快速增长的细分领域中获得更多的收入。

摩根士丹利分析师Shawn Kim和Duan Liu在本月的一份研究报告中写道,“投资者对三星的看法可能很快就会改变,情况正在迅速改善。”

这两位分析师在报告中将三星列为首选股票,因为他们认为到2025年,三星的HBM市场份额至少会达到10%,收入将增加约40亿美元。尽管三星在该领域仍将落后于SK海力士,但这一进展可能会改变投资者的看法,从而提振股价。

三星电子近日也回应称,它正在与客户密切合作,测试进展顺利,但并未就任何具体的合作伙伴关系发表评论。

特别声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作风险自担。
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