打开APP
×
09:54 三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求
《科创板日报》26日讯,随着HBM高价产品贡献获利的快速成长,带动产能排挤及产业供需改善,各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。业界初估,三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM,尽管企业级储存需求强劲,但NAND Flash市场仍存在供过于求隐忧,相较于过去两年,三星电子、SK海力士及美光今年对NAND Flash资本投资不增反减。NAND Flash报价逐季走扬,各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位,但市场估计,第三季NAND Flash或微幅供过于求,而NAND Flash价格上涨也将趋于平缓。 (台湾电子时报)
存储器 HBM 半导体芯片
阅读 88667
特别声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作风险自担。
相关新闻
相关企业家
联系Ta
联系企业家
为保护双方个人信息请联系您的专属助理进行接洽
我再想想
点击复制
复制成功,请去微信添加