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三安半导体芯片二厂M6B设备搬入 预计12月8吋SiC芯片投产
《科创板日报》25日讯,7月24日,三安半导体举行芯片二厂M6B设备入场仪式,标志着三安SiC项目二期通线在即。三安SiC项目总投资达160亿人民币,项目达产后,将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。预计到今年12月,M6B将实现点亮通线,8吋SiC芯片将正式投产。
半导体芯片
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