《科创板日报》25日讯，7月24日，三安半导体举行芯片二厂M6B设备入场仪式，标志着三安SiC项目二期通线在即。三安SiC项目总投资达160亿人民币，项目达产后，将具备年产36万片6吋SiC晶圆、48万片8吋SiC晶圆的制造能力。预计到今年12月，M6B将实现点亮通线，8吋SiC芯片将正式投产。