《科创板日报》8日讯，美国密歇根州立大学 (MSU) 的物理学家们开发了一种新的方法，可以以原子尺度分析半导体。这种方法将高分辨率显微镜与超快激光结合起来，可以以前所未有的方式检测半导体的“缺陷”。这项研究由密歇根州立大学杰里・考恩实验物理学资助讲座教授泰勒・科克尔 领导。随着设备变得越来越小、功能越来越强大，能够检查设备组成材料的工具变得至关重要。