《科创板日报》28日讯，铠侠目标在2027年3D NAND闪存实现1000层堆叠。3D NAND在2014年只有24层，到2022年达到238层，8年间增长了10倍。而铠侠目标以平均每年1.33倍的速度增长。三星在上个月表示，计划2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片。