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铠侠目标2027年3D NAND闪存实现1000层堆叠
《科创板日报》28日讯,铠侠目标在2027年3D NAND闪存实现1000层堆叠。3D NAND在2014年只有24层,到2022年达到238层,8年间增长了10倍。而铠侠目标以平均每年1.33倍的速度增长。三星在上个月表示,计划2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片。
半导体芯片
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