一、HBM技术持续迭代

HBM突破“内存墙”，实现高带宽高容量，成为AI芯片最强辅助。今年年初，SK海力士已开始招聘CPU和GPU等逻辑芯片设计人员，希望将高带宽内存HBM4直接堆叠在处理器上。

KAIST电气与电子系教授KimJung-ho表示这种存储器与处理器的直接堆叠会对散热带来挑战，如果散热问题能够比目前晚两到三代得到解决，HBM和GPU将能够在没有中介层的情况下进行堆叠。

方正证券认为，从结构上看，这一方案的核心变化就在于去掉目前CoWoS-S结构中的硅interposer（中介层），由目前的GPU/CPU/ASIC处理器与HBM在xy轴放置的这种2.5D结构，向二者在z轴直接堆叠的3D结构升级。

二、机构称混合键合、TSV、散热等细分领域需求将提升

随着封装集成度进一步提升，HPC领域算力芯片由目前主流的2.5D封装形式向3D升级是目前台积电、SK海力士、三星等龙头半导体厂商积极布局的方向。方正证券认为，在节省中介层成本的情况下，对混合键合、TSV、散热等环节带来更高要求，从而有望驱动相关环节供应链升级。具体来看：

1）混合键合hybrid-bonding设备用量提升：先进封装升级的一项核心指标就是凸显尺寸/间距的不断缩小，目前的倒装技术回流焊技术最小可实现40-50μm左右的凸点间距，当凸点间距进一步缩小到20μm时，目前部分龙头厂商采用TCB热压键合设备解决应力与热循环方面的问题，当凸点间距达到10μm甚至无凸点（bumpless）的情况下，则需要用到混合键合设备。

2）TSV工艺难度和工序提升：硅通孔技术（TSV）是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术，通过垂直互联减小互联长度、信号延迟，降低电容、电感，实现芯片间的低功耗、高速通讯。在集成度提升的过程中，TSV的密度、孔径的深宽比会进一步提高，从而带来TSV制造工艺难度和工序数的提升。电镀填孔环节是TSV制造中难度较大的环节，TSV填充效果直接关系到后续器件的电学性能和可靠性，因此我们认为对相关的电镀设备、电镀液材料都会带来更多的挑战和机遇。

3）散热需求提升：高性能算力芯片、高带宽内存的堆叠可能需要更复杂的方式解决散热问题，由于新技术、新产品目前还没有明确方案细则，但是从逻辑上推演我们认为芯片层间材料EMC（特种环氧树脂），以及芯片间（液冷/浸润）整体电源管理方案（PMIC）具有潜在升级空间。

三、相关上市公司：新益昌、深科技、华海诚科

新益昌：公司全自动平面焊线机适用于半导体、LED等器件的引线键合。

深科技：公司控股子公司沛顿存储的封装技术包括wBGA/FBGA等，具备先进封装FlipChip/TSV技术（DDR4 封装）能力。

华海诚科：公司的颗粒状环氧塑封料（GMC)可以用于HBM的封装。相关产品已通过客户验证，现处于送样。