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摩根士丹利:DRAM将迎供需失衡“超级周期” 明年标准型DRAM供应缺口高达23%
《科创板日报》12日讯,摩根士丹利指出,由于近年来DRAM厂新增产能有限,叠加HBM消耗大量产能,DRAM正迎来前所未有的供需失衡“超级周期”,明年标准型DRAM供应缺口高达23%,将比HBM更缺,为近年罕见,价格将一路上涨。大摩调升今年第三季DRAM和NAND芯片价格涨幅预估,由原预期8%和10%,上调至13%和20%,调升幅度高达六成以上。
半导体芯片
HBM
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