财联社
财经通讯社
打开APP
13:18:42【三星电子:正按计划推进eMRAM内存制程升级 8nm版本基本完成开发】
《科创板日报》31日讯,三星电子代表在韩国“AI-PIM 研讨会”上表示,正按计划逐步推进eMRAM内存的制程升级,目前8nm eMRAM的技术开发已基本完成。作为一种新型内存,MRAM基于磁性原理,具有非易失性,不需要同DRAM内存一样不断刷新数据,更为节能高效;同时MRAM的写入速度又是NAND的1000倍,支持对写入速率要求更高的应用。 (chosenbiz)
半导体芯片
财联社声明:文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。
2024-05-31 13:18:42 4335627 阅读
商务合作
专栏
相关阅读
评论
热度
最新
发送