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南亚科:首款1C nm制程DRAM内存产品16Gb DDR5明年初试产
《科创板日报》30日讯,DRAM大厂南亚科表示,首款1C nm制程DRAM内存产品16Gb DDR5颗粒将于明年初进入试产阶段。目前已在进行1B nm制程的DRAM试产,涵盖8/4Gb DDR4内存和16Gb DDR5内存。南亚科技表示其首批DDR5内存将在下半年少量试产,明年进一步提升产量。
半导体芯片
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