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14:26:57【SK海力士HBM4E内存有望采用1c nm 32Gb DRAM裸片】
《科创板日报》14日讯,SK海力士技术人员Kim Kwi Wook表示,这家企业计划使用1c nm制程的32Gb DRAM裸片构建HBM4E内存。Kim Kwi Wook预计,HBM4E内存可较HBM4在带宽上提升40%、密度提升30%,同时能效也提高30%。在谈到对键合技术路线的看法时,这位研究人员称混合键合仍面临良率不佳的问题,SK海力士在下代HBM4产品中采用混合键合的可能性不大。 (The Elec)
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2024-05-14 14:26:57 3606736 阅读
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