《科创板日报》14日讯，SK海力士技术人员Kim Kwi Wook表示，这家企业计划使用1c nm制程的32Gb DRAM裸片构建HBM4E内存。Kim Kwi Wook预计，HBM4E内存可较HBM4在带宽上提升40%、密度提升30%，同时能效也提高30%。在谈到对键合技术路线的看法时，这位研究人员称混合键合仍面临良率不佳的问题，SK海力士在下代HBM4产品中采用混合键合的可能性不大。 (The Elec)