《科创板日报》5月10日讯（记者 陈美） 近日，北一半导体完成1.5亿元B+轮融资，其所在的（碳化硅）MOSFET领域也得到资本关注。

财联社创投通数据显示，以“第三代半导体材料碳化硅”为关键词，相关机构调研次数超过100次。其中，“SiC”在电动车领域的渗透率以及规模提升，和相关产品结构、市占率情况为机构关注的焦点。

在此背景之下，MOSFET作为SiC（碳化硅）领域的重要产品之一，一级市场中也较为“吸金”。

来自边陲小城，创始人在韩国三星工作21年

财联社创投通-执中数据显示，北一半导体成立于2020年，与其他半导体公司扎根长三角不同，北一半导体来自边陲小城穆棱，后者隶属于黑龙江省牡丹江市。

北一半导体创始人金明星是一位典型的返乡创业企业家。从小生活在穆棱的金明星，很早进入到韩国三星工作。21年时间，金明星积累了大量芯片技术、工艺流程、管理模式等经验，于是，2017年金明星最终选择创业，将研发基地选在深圳，将生产基地落户穆棱。

或许是将研发基地落在深圳的缘由，前轮融资中，北一半导体获得了基石资本、金鼎资本、中金资本、联通中金的关注，完成超1.5亿人民币B轮融资，该轮融资金额计划加速公司产线扩建、产品研发、团队扩建以及市场拓展等。

1.5亿元B+轮融资中，上海吾同私募领投1亿元。这是一家成立于2007年的私募股权基金，领投金额已经到位。相较于上一轮融资，B+轮融资资金主要用于碳化硅MOSFET的技术研发，以及产线升级与扩建。

《科创板日报》记者注意到，两轮融资都与“产线扩建”有关，在技术上，北一半导体也从IGBT模组转移到碳化硅MOSFET上。

一位新能源领域投资人告诉《科创板日报》记者，“相较于IGBT，碳化硅MOSFET具有更快开关速度、更低导通损耗、更小开关损耗的特点，这使得碳化硅MOSFET在高频应用中更为高效。但从价格上看，高性能的碳化硅MOSFET价格也高于IGBT。”

“在应用上，目前高性能的碳化硅MOSFET已逐渐替代IGBT；而IGBT本省需要通过技术进步，来优化器件结构和工艺，提高性能以适应需求的变化。”

今年一季度，被三大QFII持仓的芯联集成（688469）表示，碳化硅业务将对公司营收产生更大作用，2023年该业务已实现超3亿元以上营收贡献。截至今年2月，碳化硅MOSFET批量使用在新能源汽车的主驱逆变器上，预计2024年碳化硅业务营收将超10亿元，有望在全球达到30%的市场占有率。

特斯拉曾宣布每辆车减少75%碳化硅使用量

财联社创投通-执中数据显示，以碳化硅为标签，今年以来有17笔融资，去年该赛道融资事件达到70件。其中，有知名企业清纯半导体数亿元Pre-B融资；数亿元超芯星的C轮融资；同光股份的15亿元F轮融资……投资机构方面，深创投、毅达资本、建信投资、晨道资本、元禾原点等都纷纷下场。

这些融资中，高质量的“碳化硅”衬底成为关键词。上述投资人提到，碳化硅MOSFET价格相对较高，背后原因是碳化硅这一第三代半导体材料的衬底还没有大量获得。

《科创板日报》记者了解到，目前，一片6英寸的碳化硅晶圆价格在1000美元以上，是同尺寸硅晶圆价格的20倍以上。“之所以形成这样的价格，源于碳化硅晶体生长速度较慢，且生产过程中对温度和压力的控制要求极高，导致生产成本高企。同时，生产工艺流程较为复杂，包括高纯碳粉和硅粉的合成、晶体生长、晶棒切割、研磨、抛光等等。”上述投资人称。

6英寸碳化硅晶圆之外，发展8英寸碳化硅晶圆已是行业趋势。相较于前者，8英寸衬底可以降低单位综合成本约50%。但在生产上，仅有少数企业能够大规模量产。

国内企业中，烁科晶体、晶盛机电（300316）、天岳先进（688234）、芯联集成（688469）、青禾晶元、天科合达等处于送样、小批量生产阶段。其中，两家上市天岳先进（688234）、芯联集成（688469）市值分别为240亿元和325亿元。

上述投资人对《科创板日报》记者表示，业内普遍认为，2024年是碳化硅器件大量使用到新能源汽车车载逆变器的一年。“理想、小米、蔚来等新势力都在碳化硅上发力，虽然特斯拉宣布每辆车都将减少75%的碳化硅芯片使用量，但在市场需求量扩大下，中国碳化硅生产企业仍有希望通过技术实现弯道超车。”

再回到北一半导体的融资上，B融资时，公司表示碳化硅模组研究已取得积极进展；新一轮B+轮融资则将加大研发，通过提升碳化硅MOSFET的性能指标和生产效率，推动产业化进程。

《科创板日报》记者注意到，北一半导体原有的IGBT业务由于技术成熟度高，以及成本较低，在许多应用中仍是首选。据了解，北一半导体推出的IGBT模组产品已在头部新能源汽车企业、光伏储能、变频家电及工业控制领域等头部客户中，实现批量使用。