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14:05 消息称三星计划量产的1c DRAM使用MOR光刻胶
《科创板日报》30日讯,三星正在考虑在其下一代DRAM极紫外(EUV)光刻工艺中应用金属氧化物抗蚀剂(MOR)。MOR被业内认为是下一代光刻胶(PR),会接棒目前先进芯片光刻中的化学放大胶(CAR)。三星正考虑在第6代10纳米DRAM(1c DRAM)中使用MOR,主要在六层或七层上使用EUV PR,相关产品将于今年下半年投入生产。 (TheElec)
半导体芯片 光刻胶
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