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铠侠计划2030年初量产1000层NAND
《科创板日报》16日讯,日本NAND Flash大厂铠侠表示,目标在2030-2031年量产1000层以上的3D NAND。 另外,铠侠也正在发展储存级存储器技术,希望建立NAND之后的下一个成长支柱。 (台湾电子时报)
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