铠侠计划2030年初量产1000层NAND

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09:17 铠侠计划2030年初量产1000层NAND

《科创板日报》16日讯，日本NAND Flash大厂铠侠表示，目标在2030-2031年量产1000层以上的3D NAND。另外，铠侠也正在发展储存级存储器技术，希望建立NAND之后的下一个成长支柱。 (台湾电子时报)

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