《科创板日报》12日讯，据KED Global报道，三星最快于本月晚些时候实现第9代V-NAND闪存的量产。据悉，第9代V-NAND闪存的堆叠层数将是290层。另外，业内消息人士表示，随着对高性能和大型存储设备的需求增长，三星电子还计划明年推出430层NAND芯片。