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10:13 青禾晶元实现8英寸SiC键合衬底制备
《科创板日报》11日讯，今日，青禾晶元发布8英寸SiC键合衬底制备，通过SiC键合衬底技术将高、低质量SiC衬底进行键合集成，利用低质量长晶衬底，加速8英寸SiC衬底量产进程。
半导体芯片
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