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意法半导体宣布联手三星推出18nm FD-SOI工艺
《科创板日报》21日讯,意法半导体宣布与三星联合推出18nm FD-SOI工艺。该工艺支持嵌入式相变存储器(ePCM)。意法半导体表示,相较于其现在使用的40nm eNVM技术,采用ePCM的18nm FD-SOI工艺大幅提升了性能参数,其在能效上提升了50%,数字密度上提升了3倍。
半导体芯片
存储器
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